2. メモリ (RAM)

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ID #1036

2.11 後天的障害

長期間の使用で起こる経年劣化と動作環境/取扱環境による急速な製品劣化など様々な要因がありますが、 具体的には以下のような例があります。

  • 熱による長期的な化学変化でICや基盤の破損によりノイズ発生
  • 帯電した人体/物体と接触時の放電によってICや基盤の内部配線断
  • 雷などのサージ電流によってICの内部配線断
  • DIMMの挿抜による接続端子の磨耗によりDIMMスロットと接触不良
  • 酸化などの化学変化でDIMM接続端子が腐食し、DIMMスロットと接触不良
  • 振動によるICや抵抗などの電子部品の半田剥がれで内部配線不良または配線断
  • 衝撃による基盤や半導体の破損で内部配線断
  • 炎天下や排気不良などの高温環境下での熱によって内部で電流リーク発生またはIC内部回路特性劣化
  • ユーザの実装ミスで基盤が破損し、基盤内部配線断
  • ユーザのDRAM選定ミスで動作遅延
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