これらの障害により、下記のような現象の例が挙げられます。

SDRAM IC および RERAM

• クロストークや反射による隣接ビットおよび隣接アドレスのデータ不正

• スキューによって転送データ遅延によるDRAMデータ不正

• 反射による該当記憶セルのデータ不正

• 内部劣化による特性が変化し、ノイズ発生

• 内部配線断または内部回路破損で動作不能

DIMM および RIMM

• クロストークによる隣接SDRAM ICのデータ不正

• スキューによって転送データ遅延によるDRAMデータ不正

• 反射ノイズによる該当アドレスのデータ不正

• 劣化による特性変化によるノイズ発生

• 内部配線断または内部回路破損で動作不能

コントローラ

• クロストークや反射による隣接DIMMのデータ不正

• スキューによって転送データ値不正となりDRAMデータ不正

• 内部配線断または内部回路破損で動作不能

• 配線断で動作不能

• DIMMとスロットの不完全装着に起因する一時的な障害(DRAM自体は正常)

これらの現象の中でクロストークや反射によるDRAMのノイズ障害が、 ユーザの知らぬ間に発生して大切なデータが書き換えられてしまう可能性があり、 最も厄介です。