かつてDRAMは記憶セル操作命令のための行アドレス信号のラッチによって非同期に動作していましたが、 DRAMが高速化されるにつれ、非同期DRAMでは限界が見えてきていました。 そこで、現在主流である同期クロック信号でデータ入出力を行うSDRAM(Syncronous DRAM)が 登場しました(図2.3 参照)。 当時最も高速だったEDO DRAM(Extended Data Output DRAM) と呼ばれる非同期DRAMの動作クロックは 40MHzでしたが、SDRAMは初期の段階から同期クロック66MHzであり、 その後も100MHz、133MHzとどんどん高速化されて行きました。 SDRAMはまた、バースト転送が可能となったため、 100MHzの同期クロックで最大800MB/sもの帯域を持つ特徴もあります。
また、SDRAMは内部に複数のDRAMを構成することができ、これをバンク(Bank)と呼んでいます。

図2.3 SDRAM IC