DRAMに対して何度も記録や再生を行うことで負荷をかけて検証します。
各DRAMアドレスにあるパターンを記録後にそのパターンの反転した値を記録して、 充電状態だった記憶セルは全て放電状態にし、また放電状態だった記憶セルは充電状態にすることで、 DRAMに充放電の負荷をかけます。 さらに、パターンを記録しては反転パターンを記録します。 この記録パターンは弊社の基本18パターンを用います。
このようにしてDRAMにかなりの負荷をかけることで 単独動作の検査では発現しなかった障害を発見するのに有効です。

テスト例

1. すべてのDRAMアドレスに10101010bパターンを記録

1. 各アドレスの再生データと10101010bパターンを比較検証

1. すべてのDRAMアドレスに反転した値01010101bパターンを記録

1. 各アドレスの再生データと01010101bパターンを比較検証

1. 他のパターンでも同じ検証を行う