2. メモリ (RAM)
ID #1028
2.3 DRAM
記憶セルを集積し、DRAM操作命令のデコードと該当記憶セルの情報操作、そして記憶セル情報の保持を行う
集積回路(Integrated Circuit, IC)がDRAM ICです。
碁盤上に配置された記憶セルアレイと、デコード回路やラッチ回路などの制御回路を
ICとして集積しています。
記憶セルは、行アドレス(Raw Address)と列アドレス(Colum Addres)と呼ばれる 2つのアドレス形式の組み合わせで選択されます。 まず行アドレスで該当する行アドレスのセル情報を読み出して、 取得した全セルデータからの該当する列アドレスのセル情報をを選択します。
またデータ幅は4bitから32bitまであり、製品によってまちまちです。
記憶セルは、行アドレス(Raw Address)と列アドレス(Colum Addres)と呼ばれる 2つのアドレス形式の組み合わせで選択されます。 まず行アドレスで該当する行アドレスのセル情報を読み出して、 取得した全セルデータからの該当する列アドレスのセル情報をを選択します。
またデータ幅は4bitから32bitまであり、製品によってまちまちです。